Η Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. presentado oficialmente en Simposio de tecnología TSMC 2022, su tecnología de fabricación N2 (categoría 2 nm)
O su primer nodo TSMC en la categoría de 2 nm utilizará transistores de efecto de campo (GAAFET: transistores de efecto de campo de compuerta completa) y el nuevo proceso de fabricación ofrecerá ventajas de rendimiento y potencia, pero en términos de densidad de transistores, apenas impresionará en 2025 cuando se lance.
Al ser una nueva plataforma de tecnología de procesos, la N2 de TSMC trae dos innovaciones clave: transistores nanofoil (que es lo que T llamaSMC como GAAFET) y barra de alimentación trasera sirviendo al mismo propósito de aumentar las características de rendimiento por vatio del nodo.
Los transistores de nanofoil GAA tener canales rodeados por compuertas en los cuatro lados, lo que reduce las fugas. Además, sus canales pueden ampliarse para aumentar el flujo de tráfico y aumentar la eficiencia o reducirse para minimizar el consumo de energía y los costos.
Para alimentar estos transistores de nanofoil con suficiente potencia y ahora desperdiciar cualquiera de ellos, el N2 de TSMC utiliza una fuente de alimentación en la parte trasera, que se considera una de las mejores soluciones para combatir las resistencias de final de línea (beol).
De hecho, en términos de eficiencia energética y consumo, el nodo N2 basado en nano de TSMC puede lograr 10% a 15% mayor rendimiento con el mismo poder y complejidad, y 25% a 30% menos consumo de energía a la misma frecuencia y número de transistores en comparación con TSMC N3E. Sin embargo, el nuevo nodo aumenta la densidad del chip solo 1,1 veces en comparación con el N3E.
En general, el N3 de TSMC ofrece aumentos de eficiencia de nodo completos y reducciones de consumo de energía. Pero en términos de densidad, la nueva tecnología difícilmente puede impresionar. Por ejemplo, el nodo N3E de las ofertas de TSMC 1,3X aumento en la densidad del chip en comparación con N5, que es un aumento significativo.
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