Desarrollado por V-NAND de 5ª generación de Samsung, el nuevo Universal Flash Storage ofrece 20 veces más espacio de almacenamiento que 64 GB de almacenamiento interno y una velocidad 10 veces más rápida que una tarjeta microSD estándar para aplicaciones con uso intensivo de datos.
Η Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy la producción en masa del primer almacenamiento flash universal integrado (eUFS) 2.1 del tamaño de un terabyte para su uso en aplicaciones móviles de próxima generación. Solo cuatro años después del anuncio de la primera solución UFS, el eUFS de 128 GB, Samsung superó el tan esperado límite de un terabyte en almacenamiento de teléfonos inteligentes. Los entusiastas de los teléfonos inteligentes pronto podrán disfrutar de una capacidad de almacenamiento comparable a la de una computadora portátil premium, sin tener que agregar tarjetas de memoria adicionales a sus teléfonos móviles.
"Se espera que eUFS de 1TB juegue un papel importante en la creación de una experiencia de usuario mejorada en dispositivos móviles de próxima generación, similar a la de los portátiles", dijo Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memorias de Samsung Electronics. "Samsung también se compromete a asegurar la cadena de suministro más confiable y los volúmenes de producción suficientes para respaldar el lanzamiento de los próximos teléfonos inteligentes insignia, con el objetivo de acelerar el crecimiento en el mercado global de teléfonos móviles".
Manteniendo el mismo tamaño de paquete (11.5 mm x 13.0 mm), la solución eUFS de 1 TB duplica la capacidad de la versión anterior de 512 GB, combinando 16 capas de memoria flash V-NAND de 512 GB más avanzada y un controlador de memoria patentado recientemente desarrollado. Los usuarios de teléfonos inteligentes podrán almacenar 260 videos de diez minutos en resolución 4K UHD (3840X2160), mientras que el eUFS estándar de 64 GB, que se muestra en la mayoría de los teléfonos inteligentes modernos, puede almacenar 13 videos del mismo tamaño.
EUFS de 1TB es extremadamente rápido, lo que permite a los usuarios transferir contenido multimedia de gran tamaño en mucho menos tiempo. A velocidades de hasta 1.000 megabytes por segundo (MB / s), el nuevo eUFS tiene aproximadamente el doble de la velocidad de lectura secuencial de un SSD SATA estándar de 2.5 pulgadas. Esto significa que se pueden descargar videos Full HD de 5GB a un SSD NVMe en solo cinco segundos, lo cual es 10 veces más rápido que una tarjeta microSD estándar. Además, la velocidad de lectura aleatoria se ha incrementado en un 38% en comparación con la versión de 512GB, llegando a 58.000 IOPS. Los registros aleatorios son 500 veces más rápidos que una tarjeta microSD de alto rendimiento (100 IOPS), alcanzando 50.000 IOPS. Las velocidades aleatorias permiten disparos continuos de alta velocidad a 960 cuadros por segundo y brindan a los usuarios de teléfonos inteligentes la oportunidad de aprovechar al máximo las capacidades multicámara de los dispositivos modernos y los buques insignia de la próxima generación.
Para la primera mitad de 2019, Samsung planea expandir la producción del V-NAND 512GB de próxima generación en su planta en Corea para manejar la alta demanda del eUFS de 1TB tan esperado por parte de los fabricantes de dispositivos móviles de todo el mundo.
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